低功耗

低功耗MCU关注参数: 系列 睡眠功耗 启动功耗 运行功耗(uA/MHz) 下电功耗

品牌 系列 低功耗模式/唤醒时间 运行功耗 掉电
时间
(耗
电)
内核 频率(MHz) FLASH RAM 低功耗外设
深度
掉电
掉电 深度
睡眠
睡眠 运行
电流
(uA/
Mhz)
最低
运行
电流
低功

UART
低功

SPI
低功

I2C
低功
耗电
NXP LPC54100 135nA 3.5uA 317uA   2.5mA     M4 100MHz 512KB 104KB        
NXP LPC1100 220nA   6uA 2mA 3.3mA     M0 50MHz 32KB 8KB        
NXP LPC800 0.2uA 1.6uA 158uA 1.35mA 1.85mA     M0+ 30MHz 32KB 8KB        
NXP Kinetis L     176nA~
1.9μA/4.4μs~
115μs
  83
μA/MHz
    M0+
48MHz
8K~
256K
1K~
32K
66μA      

相关概念及平均功耗计算方法

低功
耗模
SRAM
保留
供电
电压
3.3V
供电
电压
1.8
3.3V供电时唤
醒时间(us)
1.8V供电时唤
醒时间(us)
睡眠 104KB 1.21mA 1.16mA 1.6us 1.6us
深度睡眠 104KB 334uA 261uA 17.9us 22.8us
掉电 8KB(SRAM0) 2.8uA 2.4uA 69.5us;唤醒SRAM
时间18us
72.8us;唤醒SRAM
时间21.4uS
掉电 64KB 5.2uA 5,0uA 69.5us;唤醒SRAM
时间18us
72.8us;唤醒SRAM
时间21.4uS
掉电 96KB 6.5uA 6.0uA 69.5us;唤醒SRAM
时间18us
72.8us;唤醒SRAM
时间21.4uS
掉电 104KB 6.9uA 6.4uA 69.5us;唤醒SRAM
时间18us
72.8us;唤醒SRAM
时间21.4uS
深度掉电 未使用SRAM,RTC使能 400nA 280nA 取决于复位信号速度,
大于为200us
 
深度掉电 未使用SRAM,RTC禁能 250nA 140nA 取决于RTC报警设置,
简单的代码RTC报警
唤醒时间约为20ms
 

应用电路框图

电池使用时间计算公式:

其中,C:表示电池的容量,单位是mA•h ;Iavg:表示一个运行周期内的平均电流。

Iavg的计算原理如下:

第一种情况

如果模块一直按照周期唤醒工作(比如蓝牙发送广播帧),那么其计算方法如下:

在一个低功耗系统中,一个运行周期包括工作时间(T_H)和睡眠时间(T_L),在工作时间内,MCU及外设电路消耗的总电流比较大(I_H),在睡眠时间里,MCU与外设消耗的电流小(I_L),因此一个运行周期内的平均电流的计算公式如下:

在计算消耗的电流时,要把电池供电的MCU部分和外设电路部分都要考虑进去。(不同的电路的平均功耗计算方法是一样的)

第二种情况

如果模块长期处于睡眠状态,只是偶尔的唤醒运行一下(比如隔一个小时监测一下室内温度这种应用),则其平均电流基本上就等于睡眠电流:

低功耗产品了解需求的典型问题

  • 客户选用多少mAH电池,希望整个系统能运行多长时间?或 直接供电的电流要在多少mA以内?
  • 客户产品工作模式如何?是否周期性唤醒,还是有按键时唤醒?
  • 从唤醒到工作,可以允许的时长是多少?对启动速度是否有要求?
  • 处于低功耗或睡眠模式时,是否有通信或采集数据等的需求?
产品筛选
展开 ∨
当前第 0 页 / 共 0