并行总线接口MRAM
- 概述
并行MRAM具有快速、非易失性的SRAM读写周期时间。8位MRAM系列容量为256Kb到16Mb，16位MRAM系列容量为1Mb到16Mb，提供符合RoHS规范的TSOP和BGA两种封装。与所有Everspin非易失性RAM一样，所有器件可无限次读写。
- 特性
- 读取/写入周期时间：35ns
- 真正无限次擦除使用
- 业内最长的寿命和数据保存时间----超过20年的非挥发特性
- 可取代多种存储器----集闪存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身
- 采用MRAM取代电池供电的SRAM方案，解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问题
- 掉电数据自动保护
- 具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围
- 符合RoHS、兼容SRAM 的TSOPII封装
- 符合RoHS、兼容SRAM 的BGA封装（板面积缩小了3倍）
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- 16位并行总线接口MRAM
- 8位并行总线接口MRAM
| 型号 | 容量 | 数据结构 | 总线速度 | 工作电压 | 工作温度 | 封装 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MR256A08B | 256Kb | 32Kx8 | 35ns | 2.7V~3.6V | C, M | 44-TSOP, 48-BGA |
| MR0A08B | 1Mb | 128Kx8 | 35ns | 2.7V~3.6V | C, M | 44-TSOP, 48-BGA |
| MR0D08B | 1Mb | 128Kx8 | 45ns | 电源2.7V~3.6V, I/O 1.8V | Blank | 48-BGA |
| MR2A08A | 4Mb | 512Kx8 | 35ns | 2.7V~3.6V | C, M | 44-TSOP, 48-BGA |
| MR4A08B | 16Mb | 2Mbx8 | 35ns | 2.7V~3.6V | C, M | 44-TSOP, 48-BGA |
备注：Blank: 0 ~ +70°C; C: -40 ~ +85°C; V: -40 ~ +105°C; M: -40 ~ +125°C
- 资料下载
- Everspin MRAM产品介绍PPT [出处 7-13 1988次]
- MR4A08B 8位并行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 9-13 1435次]
- MR4A16B 16位并行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 6-23 1759次]
- MR2A16A16位并行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 6-23 1278次]
- MR2A08A 8位并行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 6-23 1451次]
- MR0D08B 8位并行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 6-23 1335次]
- MR0A08B 8位并行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 6-23 1359次]
- MR256A08B 8位并行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 6-23 1560次]
- MR0A16A 16位并行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 6-23 1508次]
