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并行总线接口MRAM

  

    概述

    并行MRAM具有快速、非易失性的SRAM读写周期时间。8位MRAM系列容量为256Kb到16Mb,16位MRAM系列容量为1Mb到16Mb,提供符合RoHS规范的TSOP和BGA两种封装。与所有Everspin非易失性RAM一样,所有器件可无限次读写。

    特性
  • 读取/写入周期时间:35ns
  • 真正无限次擦除使用
  • 业内最长的寿命和数据保存时间----超过20年的非挥发特性
  • 可取代多种存储器----集闪存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身
  • 采用MRAM取代电池供电的SRAM方案,解决了电池组装、可靠性以及责任方面的问题
  • 掉电数据自动保护
  • 具备商业级、工业级、扩展级和汽车级的可选温度范围
  • 符合RoHS、兼容SRAM 的TSOPII封装
  • 符合RoHS、兼容SRAM 的BGA封装(板面积缩小了3倍)
  • 销售邮箱:liqun@zlgmcu.com
  • 技术支持电话:020-22644358
  • 技术支持邮箱:ICFAQ@zlgmcu.com
  • 技术支持论坛:http://maker.zlgmcu.com
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