
串行总线接口MRAM
- 概述
串行MRAM以40MHz的时钟速度高速运行,没有写延迟。和传统的EEPROM技术不同,MRAM允许无限次擦除。容量为256Kb到1Mb,数据保存时间长达20年以上。低电压保护电路可在掉电时自动保护数据,防止在规定电压范围以外时写入数据。对于必须永久保存、快速恢复重要数据和程序的应用,SPI串行总线接口的MARM存储器是理想的存储器方案。
- 特性
- 无写延时
- 无限次可写
- 数据保存时间大于20年
- 掉电数据自动保护
- SPI总线操作速率高达40 MHz
- 电源电压范围:2.7V~3.6V
- 待机电流低至3μA
- 具备工业级和汽车级的可选温度范围
- 小尺寸8引脚DFN封装,符合RoHS标准
- 可直接替代EEPROM、Flash、FRAM
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- SPI串行总线接口MRAM
- 资料下载
- Everspin MRAM产品介绍PPT [出处 7-13 1988次]
- MR25H40 串行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 9-13 2361次]
- MR25H256 串行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 6-24 3315次]
- MR25H10 串行总线接口MRAM产品数据手册(英) [出处 6-23 2481次]



