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串行总线接口MRAM

  

    概述

    串行MRAM以40MHz的时钟速度高速运行,没有写延迟。和传统的EEPROM技术不同,MRAM允许无限次擦除。容量为256Kb到1Mb,数据保存时间长达20年以上。低电压保护电路可在掉电时自动保护数据,防止在规定电压范围以外时写入数据。对于必须永久保存、快速恢复重要数据和程序的应用,SPI串行总线接口的MARM存储器是理想的存储器方案。

    特性
  • 无写延时
  • 无限次可写
  • 数据保存时间大于20年
  • 掉电数据自动保护
  • SPI总线操作速率高达40 MHz
  • 电源电压范围:2.7V~3.6V
  • 待机电流低至3μA
  • 具备工业级和汽车级的可选温度范围
  • 小尺寸8引脚DFN封装,符合RoHS标准
  • 可直接替代EEPROM、Flash、FRAM
  • 销售邮箱:liqun@zlgmcu.com
  • 技术支持电话:020-22644358
  • 技术支持邮箱:ICFAQ@zlgmcu.com
  • 技术支持论坛:http://maker.zlgmcu.com
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