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    概述

    Everspin是从飞思卡尔半导体公司分离出来的一家独立公司。公司总部与晶圆厂均设于美国亚利桑那州钱德勒(Chandler)市。2006年,Everspin推出业界第一款商业化MRAM产品。今日,Everspin MRAM已广泛用在数据存储、工业自动化、游戏、能源管理、通讯、运输、和航空电子领域。

    MRAM简介

    Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构,来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。

    MRAM工作原理

    Everspin 的专利MRAM技术是以可沉积在标准逻辑制程上的磁性隧道结 (MTJ)储存单元为基础。MTJ中包含了一个维持单一极性方向的固定层(fixed layer),和一个通过隧道结(tunnel barrier)与其隔离的自由层(free layer)。当自由层被施予和固定层相同方向的极化时,MTJ的隧道结便会显现出低电阻特性。而当自由层被施予反方向的极化时,MTJ便会有高电阻。此一磁阻效应可使MRAM不需改变内存状态,便能快速读取数据。

    当流经两金属线的电流足以切换MTJ的磁场时,在两金属线交点的MTJ就会被极化(写入)。此过程能以SRAM的速度完成。

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    MRAM技术优势

    MTJ储存单元有两个优点:

  • 其采用的磁性极化的方式与传统的电荷存储方式不同,有效避免了电荷漏电的问题,从而保证数据能够在宽广的温度范围内被长期保存。
  • 两个状态间的磁性极化切换不会涉及到实际的电子或原子移动,因此不会有耗损机制的存在。
    MRAM应用
    选型指南
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