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最低成本的FPGA--Nano

概述
  Microsemi nano 现场可编程逻辑器件(FPGA)包括 IGLOO nano 和ProASIC3 nano两种版本,nano FPGA针对快速增长的便携式和消费电子市场而推出,Microsemi nano FPGA耗降低至2µW(微瓦),封装尺寸减小到3ⅹ3mm,并且扩大其商用温度范围至零度以下,从而扩大消费电子的应用范围,使之可以在更寒冷的户外环境下使用,同时提供已封装产品的零交付交货时间。Microsemi 为对功耗和尺寸要求苛刻的场合提供逻辑门数从10k到250k,内核电压从1.2V到1.5V各种型号的nano FPGA器件,这些器件 支持总线状态保持的超低功耗Flash*Freeze模式、支持热插拔、施密特输入、PLL、SRAM和用户可用非易失性FlashROM、提供FlashLock和128位的AES加密。多种器件的价格低于1美元,从而打破了FPGA的价格屏障。

特点    
  业界最低功耗的FPGA芯片,功耗可以低至2µW,IGLOO nano支持Flash*Freeze冰冻模式,在这种模式下功耗达到最低并可以保持内部寄存器、SRAM和I/O的状态。ProASIC3 nano支持睡眠模式,在器件不使用时最大限度降低器件功率。
超低功耗
 
  业界最小封装的FPGA,提供 3x3 mm小封装尺寸,同时可以提供KGD(Known Good Die)(也称之为裸片)业务支持,KGD的供货方式用客户提供了价格、尺寸和功能集成性的优势。
超小封装
     
  支持已封装产品的零交付交货周期,包括IGLOO nano、ProASIC3 nano在内的订单都可以马上提供现货,加速产品上市时间。
零交货时间
 
  Microsemi nano器件把标准的芯片商业温度从0°C 到+70°C 扩展到了–20°C 到 +70°C,这使得世界各地使用Microsemi nano FPGA器件的绝大部分手持设备都可以在户外零下的温度环境下很好的工作。
超低温度
     
  对于10k门密度的QNG48封装的A3PN010,从0.69美元起价,KGD(裸片)从0.49美元起价,Microsemi提供多种价格低于1美元的各种不同密度、不同封装的nano FPAG器件。
超低价格
   
     

低功耗和小封装
  在当今的手持电子产品设计中,功耗是排在第一位的考虑因素,用户通常希望尽可能的延长为手持设备电池充电的周期。Microsemi nano器件的静态功耗是竞争对手的几十分之一,达到了史无前例的2µW(10K系统门)。小封装尺寸是排在功耗之后的第二位考虑因素,竞争对手只能提供5x5最小封装的尺寸,但Microsemi公司目前不仅拥有4x4mm大小FPGA,更实现了3x3mm封装的低功耗IGLOO nano FPGA,全新的微型封装与其现有的小型4x4mm、5x5mm、6x6mm和8x8mm封装相辅相成,为小尺寸空间需求的手持设备提供了完美的解决方案。  
        

应用
消费电子:智能电话、PDA、个人导航设备、电子书、掌上游戏机、影音播放器
医疗:个人医疗监控设备
工业应用:可携式销售终端(POS)工具

产品列表
ProASIC3 nano 系列 A3PN010 A3PN015 A3PN020 A3PN060 A3PN125 A3PN250
系统门密度 10k 15k 20k 60k 125k 250k
典型等效宏单元 86 128 172 512 1024 2048
VersaTile (D触发器) 260 384 520 1536 3072   6144
RAM 容量 (1,024 bits) 18 36 36
4,608 位RAM块 4 8 8
FlashROM 位数 1 k 1 k 1 k 1 k 1 k 1k
(AES) ISP Yes Yes Yes
PLL 1 1 1
全局网络数目 (VersaNet) 4 4 4 18 18 18
I/O Banks 2 3 3 2 3 4
最大用户可用I/O 34 49 52 71 71 68
最大用户可用I/O (Die) 34 52 71 71 68
单端IO/差分IO对数目
QN48(6×6mm) 34          
QN68((8×8mm)   49 49      
QN100(8×8mm)       71 71 68
VQ100(14×14mm)       71 71 68
IGLOO nano 系列 AGLN010 AGLN015 AGLN020 AGLN060 AGLN125 AGLN250
系统门密度 10k 15k 20k 60k 125k 250k
典型等效宏单元 86 128 172 512 1024 2048
VersaTile (D触发器) 260 384 520 1536 3072   6144
Flash*Freeze 下的静态电流 (典型值)(µw) 2 4 4 10 16 24
RAM 容量 (1,024 bits) 18 36 36
4,608 位RAM块 4 8 8
FlashROM 位数 1 k 1 k 1 k 1 k 1 k 1k
(AES) ISP Yes Yes Yes
PLL 1 1 1
全局网络数目 (VersaNet) 4 4 4 18 18 18
I/O Banks 2 3 3 2 3 4
Maximum User I/Os 34 49 52 71 71 68
Maximum User I/Os (Known Good Die) 34 52 71 71 68
单端IO/差分IO对数目
QN48(6×6mm) 34          
QN68((8×8mm)   49 49      
QN100(8×8mm)       71 71 68
µCS81(4×4mm)     52      
µCS36(3×3mm) 23          
CS81(5×5mm)     52 64 64 64
VQ100(14×14mm)       71 71 68

 

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