新一代、高性能、低功耗的ProASIC3L-周立功单片机

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新一代、高性能、低功耗的ProASIC3L

概述

　　低功耗在当今众多设计中显得越来越重要，因此，Microsemi在成熟的ProASIC3的基础上衍生出了新一代低功耗的FPGA-ProASIC3L。其性能和ProASIC3类似，但动态功耗比ProASIC3低40%，静态功耗比ProASIC3低90%，主要应用于高性能、低功耗的场合。ProASIC3L同时支持32位的Cortex^TM-M1软核，为系统级的设计提供了完美的解决方案。

主要特性
比ProASIC3节省40%动态功耗；比ProASIC3节省90%静态功耗；单芯片、单电压、上电即可运行； 350MHz高性能；重复编程且非易失性；固件错误免疫；支持1.2V或者1.5 V 内核电压，并增加1.2 V的I/O电压； Flash*Freeze技术允许动态模式与静态模式的切换；免费的Cortex-M1 支持所有的器件；带AES加密的ISP功能

低功耗优势
ProASIC3L融合了成熟的FlashFreeze技术，通过FlashFreeze引脚在不关闭电源和时钟的情况下可以瞬时切换动态模式和静态模式，进入和退出的时间只要1μs，与此同时还能保持器件的寄存器状态和RAM内容，这种能力使得动态功耗大幅的减少。ProASIC3L的 I/O增加了支持1.2V的电压特性，并且可以在单电源下工作（1.2V或1.5V）。ProASIC3L显著地低功耗和高性能的特点，大大简化了我们的设计，为产品赢得更加广阔的市场。

产品列表

ProASIC3L系列	A3P250L	A3P600L	A3P1000L	A3PE3000L
带CortexM1的器件	M1A3P250L	M1A3P600L	M1A3P1000L	M1A3PE3000L
系统门数	250K	600K	1M	3M
VersaTile（D触发器）	6,144	13,824	24,567	75,264
4,608 位RAM块	8	24	32	112
1，024位RAM块	36	108	144	504
FlashROM （kbits）	1	1	1	1
(AES) ISP1	Yes	Yes	Yes	Yes
CCC中内置PLL	1	1	1	6
全局网络 (VersaNet) 个数	18	18	18	18
I/O电平标准	Std.+/ LVDS	Std.+/ LVDS	Std.+/ LVDS	Pro
I/O Banks (包括JTAG接口)	4	4	5	5
*典型的静态 / FlashFreeze 功耗 (mW) ,VCC=1.2 V**	0.40	0.66	1.06	3.30
典型的睡眠模式（uW）, VCC=1.5 V	11	11	11	22
速度等级	Std.,-1	Std.,-1	Std.,-1	Std.,-1
温度等级	C，I	C，I	C，I	C，I
单端IO/差分IO对
VQ100	687/13
PQ208	151/34	154/35	154/35	147/65
FG144	97/24	97/25	97/25
FG256	157/38	177/43	177/44
FG324				221/110
FG484		235/60	300/74	341/168
FG896				620/310