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TVS/ESD电路保护器件

简介
  许多开发人员都遇到过这样的情况:在实验室开发好的产品,测试完全通过,但到了客户手里用了一段时间之后,出现异常现象,甚至是产品失效需要返修,并且故障率往往也不高(1%以下)。一般情况下,以上问题大都由于浪涌冲击、ESD冲击等原因造成,安森美半导体提供多种类型的电路保护器件,使您不用再为以上问题烦恼。
   超小SOT953封装4通道NUP45V6系列,可以对无线产品、手持产品及其他产品进行保护;低容抗的NUP2202及NUP4202,可以应用于USB2.0高速通信设备中;NUP1105L及NUP2105L可以保护您的LIN总线及CAN总线;双通道的SM系列可以应用于RS232、RS485总线上。

NUP1105L LIN Bus保护器件
SOT-23单通道TVS/ESD保护器件, 峰值350W(8 x 20us); 符合IEC61000-4-2,Level 4标准
型号 反向击穿电压 最大反向漏电流 容抗(pF)
@0V,1.0MHz
最大反向
浪涌电流
最大反向电压
@Ipp(箝位电压)
峰值功率
(8x20us)
  VBR(V)   @IT IR VRWM
Min Nom Max (mA) (uA) (V) Typ Max Ipp(A) Vc(V) Watts
NUP1105L 25.7   28.4 1.0 0.1 24   30 8.0 44 350

NUP2105L CAN Bus保护器件
SOT-23双通道TVS/ESD保护器件, 峰值350W(8 x 20us); 符合IEC61000-4-2,Level 4标准
型号 反向击穿电压 最大反向漏电流 容抗(pF)@0V,1.0MHz 最大反向
浪涌电流
最大反向电压
@Ipp(箝位电压)
峰值功率
(8x20us)
  VBR(V)   @IT IR VRWM
Min Nom Max (mA) (uA) (V) Typ Max Ipp(A) Vc(V) Watts
NUP2105L 26.2   32 1.0 0.1 24 30 - 8.0 44 350

安森美USB保护器件
符合IEC61000-4-2,Level 4标准

型号

反向击穿电压

最大反向漏电流

容抗(pF)@0V,1.0MHz

最大反向
浪涌电流

最大反向电压
@Ipp(箝位电压)

峰值功率(8x20us)

 

VBR(V)

 

@IT IR VRWM

Min

Nom

Max

(mA)

(uA)

(V)

Typ

Max

Ipp(A)

Vc(V)

Watts

NUP4202W1

6.0

-

-

1.0

5.0

5.0

3.0

5.0

28

20

500

NUP2202W1

6.0

-

-

1.0

5.0

5.0

3.0

5.0

28

20

500

NUP2202及 NUP4202应用原理图


单通道TVS/ESD保护
SOD-23单通道TVS/ESD保护器件, 峰值350W(8 x 20us); 符合IEC61000-4-2,Level 4标准
型号 反向击穿电压 最大反向
工作电压
最大反向
漏电流
最大反向
浪涌电流
最大反向电压
@Ipp(箝位电压)
容抗(pF)
VBR(V) @IT
Min Nom Max (mA) VRWM (V) IR(uA) Ipp(A) VC(V) (pF)
SD05(单向) 6.2 6.75 7.3 1.0 5.0 10 24 14.5 350
SD12(单向) 13.3 14.5 15.75 1.0 12 1.0 15 25 150
SD12C(双向) 13.3 - - 1.0 12 1.0 15 24 64
 
SOD-923单通道TVS/ESD保护器件, 峰值100W(8 x 20us); 符合IEC61000-4-2,Level 4标准
型号 反向击穿电压 最大反向
工作电压
最大反向
漏电流
最大反向
浪涌电流
最大反向电压
@Ipp(箝位电压)
容抗
(pF)
VBR(V) @IT
Min Nom Max (mA) VRWM (V) IR(uA) Ipp(A) VC(V) (pF)
ESD9X3.3S 5.0 - - 1.0 3.3 2.5 9.8 10.4 80
ESD9X5.0S 6.2 - - 1.0 5.0 1.0 8.7 13.3 65
ESD9X12S 13.5 - - 1.0 12 1.0 5.9 23.7 30

双通道TVS/ESD保护
SOT-23双通道TVS/ESD保护器件, 峰值300W(8 x 20us); 符合IEC61000-4-2,Level 4标准
型号 反向击穿电压 最大反向工作电压 最大反向漏电流 最大反向浪涌电流 最大反向电压@Ipp(箝位电压) 容抗(pF)
VBR(V) @IT
Min Nom Max (mA) VRWM (V) IR(uA) Ipp(A) VC(V) (pF)
SM05 6.2 6.75 7.3 1.0 5.0 10 17 9.8 225
SM12 13.3 14.5 15.75 1.0 12 1.0 12 19 95
 
四通道低容抗TVS/ESD保护器件
SOT-953封装,符合IEC61000-4-2,Level 4标准
型号 反向击穿电压VBR@1.0mA(V) 漏电流IRM@VRM 典型容抗@0V偏置(pF) 典型容抗@3V偏置(pF)
Min Nom Max VRWM IRWM(uA) Typ Max Yyp Max
NUP45V6P5 5.3 5.6 5.9 3.0 1.0 13 17 7.0 11.5
NUP46V8P5 6.47 6.8 7.14 4.3 1.01 12 15 6.7 9.5
NUP412VP5 11.4 12 12.7 9.0 1.0 6.5 10 3.5 5.0
 
 

防雷保护器件
  NP系列(低电容/低电压)过压保护芯片,保护高速xDSL驱动器及其他芯片免受雷击和ESD冲击的损害。内部极低的漏电流使其非常适合应用于低压高速的场合,芯片拥有低容抗特性,可使高速数据无损通过保护系统。
  先进的硅结构技术使NP系列产品拥有最小化的尺寸,能够快速应对ESD冲击、高能量浪涌冲击。
芯片特性
低容抗特性
极低的差分电容
低漏电流
高抑制浪涌能力
精准的电压箝位功能
小封装尺寸
双向操作
直通布局
符合IEC 61000-4-2 Level 4 ESD标准
无铅封装
应用方向
VDSL、ADSL,消费类终端设备,网关,以太网设备,RS232、RS485设备
型号 VRWM VBR IVR@VR=VRWM C@VR=2V Δ℃ 0V-VRWM 冲击峰值电流@ 8x20us
(V) (V) (uA) (pF) (pF) (A)
NP0080TAT1G 8 9.5 0.5 13 4 50
NP0120TAT1G 12 12.5 0.5 11 3 50
NP0160TAT1G 16 18 0.5 11 3 50

资料下载
  安森美ESD/TVS保护器件选型指南 [1300KPDF2010/3/13:11216次]
  ESD防护设计视频教程 [13808KFLV2009/12/8:18699次]


说明:网页中的图片和文字仅供参考,所有信息均以实物和实际销售情况为准。

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