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| 首页 >> 安森美半导体>> TVS/ESD电路保护器件 |
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| 简介 |
许多开发人员都遇到过这样的情况：在实验室开发好的产品，测试完全通过，但到了客户手里用了一段时间之后，出现异常现象，甚至是产品失效需要返修，并且故障率往往也不高（1%以下）。一般情况下，以上问题大都由于浪涌冲击、ESD冲击等原因造成，安森美半导体提供多种类型的电路保护器件，使您不用再为以上问题烦恼。
超小SOT953封装4通道NUP45V6系列，可以对无线产品、手持产品及其他产品进行保护；低容抗的NUP2202及NUP4202，可以应用于USB2.0高速通信设备中；NUP1105L及NUP2105L可以保护您的LIN总线及CAN总线；双通道的SM系列可以应用于RS232、RS485总线上。 |
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| NUP1105L LIN Bus保护器件 |
| SOT-23单通道TVS/ESD保护器件， 峰值350W(8 x 20us)； 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 |
| 型号 |
反向击穿电压 |
最大反向漏电流 |
容抗(pF)
@0V，1.0MHz |
最大反向
浪涌电流 |
最大反向电压
@Ipp(箝位电压) |
峰值功率
(8x20us) |
| |
VBR(V) |
|
@IT |
IR |
VRWM |
| Min |
Nom |
Max |
(mA) |
(uA) |
(V) |
Typ |
Max |
Ipp(A) |
Vc(V) |
Watts |
| NUP1105L |
25.7 |
|
28.4 |
1.0 |
0.1 |
24 |
|
30 |
8.0 |
44 |
350 |
 |
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| NUP2105L CAN Bus保护器件 |
| SOT-23双通道TVS/ESD保护器件， 峰值350W(8 x 20us)； 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 |
| 型号 |
反向击穿电压 |
最大反向漏电流 |
容抗(pF)@0V，1.0MHz |
最大反向
浪涌电流 |
最大反向电压
@Ipp(箝位电压) |
峰值功率
(8x20us) |
| |
VBR(V) |
|
@IT |
IR |
VRWM |
| Min |
Nom |
Max |
(mA) |
(uA) |
(V) |
Typ |
Max |
Ipp(A) |
Vc(V) |
Watts |
| NUP2105L |
26.2 |
|
32 |
1.0 |
0.1 |
24 |
30 |
- |
8.0 |
44 |
350 |
 |
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| 安森美USB保护器件 |
| 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 |
型号 |
反向击穿电压 |
最大反向漏电流 |
容抗(pF)@0V，1.0MHz |
最大反向
浪涌电流 |
最大反向电压
@Ipp(箝位电压) |
峰值功率(8x20us) |
|
VBR(V) |
|
@IT |
IR |
VRWM |
Min |
Nom |
Max |
(mA) |
(uA) |
(V) |
Typ |
Max |
Ipp(A) |
Vc(V) |
Watts |
NUP4202W1 |
6.0 |
- |
- |
1.0 |
5.0 |
5.0 |
3.0 |
5.0 |
28 |
20 |
500 |
|
NUP2202W1 |
6.0 |
- |
- |
1.0 |
5.0 |
5.0 |
3.0 |
5.0 |
28 |
20 |
500 |
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|
NUP2202及 NUP4202应用原理图 |
| 单通道TVS/ESD保护 |
| SOD-23单通道TVS/ESD保护器件， 峰值350W(8 x 20us)； 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 |
| 型号 |
反向击穿电压 |
最大反向
工作电压 |
最大反向
漏电流 |
最大反向
浪涌电流 |
最大反向电压
@Ipp(箝位电压) |
容抗(pF) |
| VBR(V) |
@IT |
| Min |
Nom |
Max |
(mA) |
VRWM (V) |
IR(uA) |
Ipp(A) |
VC(V) |
（pF） |
| SD05（单向） |
6.2 |
6.75 |
7.3 |
1.0 |
5.0 |
10 |
24 |
14.5 |
350 |
| SD12（单向） |
13.3 |
14.5 |
15.75 |
1.0 |
12 |
1.0 |
15 |
25 |
150 |
| SD12C（双向） |
13.3 |
- |
- |
1.0 |
12 |
1.0 |
15 |
24 |
64 |
 |
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| SOD-923单通道TVS/ESD保护器件， 峰值100W(8 x 20us)； 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 |
| 型号 |
反向击穿电压 |
最大反向
工作电压 |
最大反向
漏电流 |
最大反向
浪涌电流 |
最大反向电压
@Ipp(箝位电压) |
容抗
(pF) |
| VBR(V) |
@IT |
| Min |
Nom |
Max |
(mA) |
VRWM (V) |
IR(uA) |
Ipp(A) |
VC(V) |
（pF） |
| ESD9X3.3S |
5.0 |
- |
- |
1.0 |
3.3 |
2.5 |
9.8 |
10.4 |
80 |
| ESD9X5.0S |
6.2 |
- |
- |
1.0 |
5.0 |
1.0 |
8.7 |
13.3 |
65 |
| ESD9X12S |
13.5 |
- |
- |
1.0 |
12 |
1.0 |
5.9 |
23.7 |
30 |
|
| 双通道TVS/ESD保护 |
| SOT-23双通道TVS/ESD保护器件， 峰值300W(8 x 20us)； 符合IEC61000-4-2，Level 4标准 |
| 型号 |
反向击穿电压 |
最大反向工作电压 |
最大反向漏电流 |
最大反向浪涌电流 |
最大反向电压@Ipp(箝位电压) |
容抗(pF) |
| VBR(V) |
@IT |
| Min |
Nom |
Max |
(mA) |
VRWM (V) |
IR(uA) |
Ipp(A) |
VC(V) |
（pF） |
| SM05 |
6.2 |
6.75 |
7.3 |
1.0 |
5.0 |
10 |
17 |
9.8 |
225 |
| SM12 |
13.3 |
14.5 |
15.75 |
1.0 |
12 |
1.0 |
12 |
19 |
95 |
 |
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| 四通道低容抗TVS/ESD保护器件 |
| SOT-953封装，符合IEC61000-4-2，Level 4标准 |
| 型号 |
反向击穿电压VBR@1.0mA(V) |
漏电流IRM@VRM |
典型容抗@0V偏置(pF) |
典型容抗@3V偏置(pF) |
| Min |
Nom |
Max |
VRWM |
IRWM(uA) |
Typ |
Max |
Yyp |
Max |
| NUP45V6P5 |
5.3 |
5.6 |
5.9 |
3.0 |
1.0 |
13 |
17 |
7.0 |
11.5 |
| NUP46V8P5 |
6.47 |
6.8 |
7.14 |
4.3 |
1.01 |
12 |
15 |
6.7 |
9.5 |
| NUP412VP5 |
11.4 |
12 |
12.7 |
9.0 |
1.0 |
6.5 |
10 |
3.5 |
5.0 |
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| 防雷保护器件 |
NP系列（低电容/低电压）过压保护芯片，保护高速xDSL驱动器及其他芯片免受雷击和ESD冲击的损害。内部极低的漏电流使其非常适合应用于低压高速的场合，芯片拥有低容抗特性，可使高速数据无损通过保护系统。
先进的硅结构技术使NP系列产品拥有最小化的尺寸，能够快速应对ESD冲击、高能量浪涌冲击。 |
| 芯片特性 |
  低容抗特性
极低的差分电容
低漏电流
高抑制浪涌能力
精准的电压箝位功能 |
小封装尺寸
双向操作
直通布局
符合IEC 61000-4-2 Level 4 ESD标准
无铅封装 |
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| 应用方向 |
| VDSL、ADSL，消费类终端设备，网关，以太网设备，RS232、RS485设备 |
| 型号 |
VRWM |
VBR |
IVR@VR=VRWM |
C@VR=2V |
Δ℃ 0V-VRWM |
冲击峰值电流@ 8x20us |
| (V) |
(V) |
(uA) |
(pF) |
(pF) |
(A) |
| NP0080TAT1G |
8 |
9.5 |
0.5 |
13 |
4 |
50 |
| NP0120TAT1G |
12 |
12.5 |
0.5 |
11 |
3 |
50 |
| NP0160TAT1G |
16 |
18 |
0.5 |
11 |
3 |
50 |
 |
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