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| 铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。 |
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| 并行FRAM |
非易失性并行存储器拥有高速读写速度，完全不使用电池即可实现非易失数据存储。所有字节编址存储器含有标准的SRAM管脚（pinout）。它们的操作方式与SRAM类似，无须电池即可实现非易失数据存储。 |
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| 产品列表 |
| 并行FRAM |
| 产品 |
密度 |
封装 |
访问时间 |
Vdd |
IDD |
| FM22L16 |
256Kb x 16 |
44-脚TSOP-II |
55ns |
2.7-3.6V |
18mA |
| FM20L08 |
128Kb x 8 |
32T |
60ns |
3.3V +10%, -5% |
22mA |
| FM1808 |
32Kb x 8 |
28S, 28P |
70ns |
5V |
25mA |
| FM18L08 |
32Kb x 8 |
28S, 28P, 32TSOP |
70ns |
3.0-3.6V |
15mA |
| FM1608 |
8Kb x 8 |
28S, 28P |
120ns |
5V |
15mA |
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