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| 首页 >> Ramtron半导体 >> 串行FRAM
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| 铁电存储器（FRAM）产品将ROM的非易失性数据存储特性和RAM的无限次读写、高速读写以及低功耗等优势结合在一起。FRAM产品包括各种接口和多种密度，像工业标准的串行和并行接口，工业标准的封装类型，以及4Kbit、16Kbit、64Kbit、256Kbit和1Mbit等密度。 |
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| 串行FRAM |
双线接口是被广泛使用的多主/多从协议，它使用一根串行时钟（SCL）线与一根串行数据线（SDA）。多个存储器件可以挂在双线总线上，通过器件选择管脚A0-A2来选择器件，双线协议也是专为多点通信应用而设计。
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| 产品列表 |
| 型号 |
密度 |
封装 |
最大总线速度 |
Vdd |
IDD |
| FM24C512 |
512Kb |
8SE |
1MHz |
5V |
1.5mA |
| FM24C256 |
256Kb |
8SE |
1MHz |
5V |
1.2mA |
| FM24CL64 |
64Kb |
8S & DFN |
1MHz |
2.7-3.6V |
400uA |
| FM24C64 |
64Kb |
8S |
1MHz |
5V |
1.2mA |
FM24CL16
(符合AEC-Q100标准) |
16Kb |
8S & DFN |
1MHz |
2.7-3.6V |
400uA |
| FM24C16A |
16Kb |
8S |
1MHz |
5V |
1.0mA |
| FM24CL04 |
4Kb |
8S |
1MHz |
2.7-3.6V |
300uA |
| FM24C04A |
4Kb |
8S |
1MHz |
5V |
1.0mA |
| 型号 |
密度 |
封装 |
最大总线速率 |
Vdd |
IDD |
| FM25L512 |
512Kb |
8TDFN |
20MHz |
3.0-3.6V |
12mA |
| FM25256B |
256Kb |
8S |
20MHz |
4.0V-5.5V |
15mA |
| FM25L256B |
256Kb |
8S & DFN |
20MHz |
2.7-3.6V |
10mA |
| FM25CL64 |
64Kb |
8S & DFN |
20MHz |
2.7-3.6V |
10mA |
FM25640
（符合AEC-Q100-） |
64Kb |
8S |
5MHz |
5V |
3.0mA |
FM25C160
（1级汽车温度） |
16Kb |
8S |
15MHz |
5V |
6.5mA |
FM25C160
（符合AEC-Q100-） |
16Kb |
8S |
20MHz |
5V |
8mA |
| FM25L16 |
16Kb |
8S & DFN |
18MHz |
2.7-3.6V |
5.5mA |
| FM25040A |
4Kb |
8S |
20MHz |
5V |
8mA |
| FM25L04 |
4Kb |
8S & DFN |
14MHz |
2.7V-3.6V |
3.0mA |
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