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并行E2PROM存储器

简介
  E2PROM是可在线电擦除和电写入的存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等特点,而且为低电压写入,在单片机系统中应用十分普遍。
  Catalyst公司的3.3V和5V的并行E2PROM满足了电池操作应用的要求,Catalyst公司的产品提供16~512K的高密度存储。

原理
  E2PROM的电路结构经历了一个发展过程,目前大多采用FLOTOX(Floating Tunnel Oxide)结构。这种结构的基本存储单元的主题是一个特殊的MOS管,如图所示。它的特点是:浮置栅向下凸出一块,使得浮置栅与漏区之间的隧道氧化层面积很小、厚度很薄。它的编程原理与EPROM相似,即让浮置栅上带电荷。具体实现是在控制栅加高电位,此时漏端的电子将借助Fowler-Nordheim隧道效应穿过薄氧化层而进入浮置栅。它的擦除原理与EPROM不同,是在控制栅加低电位,存储在浮置栅中的电子被抽出,于是又恢复到初始状态。

特性
读取时间为90~300ns
简单的写操作
写周期短
硬件写保护
低功耗CMOS消耗
可编程/擦除1/10万次
数据保存期10/100年
工业温度范围

应用场合

典型器件    
CAT28C64B的特性
快速读取时间90/120/150ns
低功耗CMOS消耗:运行时最大电流为25mA、静态电流最大为100uA
简单的写操作:片上地址和数据锁存、带自动清除的写周期
写周期短:最大为5ms
兼容CMOS和TTL的I/O口
软件、硬件写保护
对每页自动地进行写操作
写终端检测
可编程、擦除10万次
数据保存期100年
符合RoHS的封装
商业、工业和汽车电子温度范围
  典型应用
POS终端
工业控制器
局域网适配器
电讯开关
调制解调器

产品选型表
型号 存储密度 VIN(V) ICC(读写/待机) 读取时间(ns) 封装 温度范围
PDIP SOIC-JEDEC SOIC-EIAJ PLCC TSOP
CAT28LV64 64KBits 3.3-3.6 8mA/100μA 150,200,250 L(28) W(28) X(28) G(32) H13(28) -55℃-125℃
CAT28LV65 64KBits 3.3-3.6 8mA/100μA 150,200,250 L(28) W(28) X(28) G(32) H13(28) -55℃-125℃
CAT28LV256 256KBits 3.3-3.6 15mA/150μA 200,250,300 L(28)     G(32) H13(28) -55℃-125℃
CAT28C16A 16KBits 4.5-5.5 25mA/100μA 90,120,200 L(24) W(24) X(24) G(32)   -55℃-125℃
CAT28C17A 16KBits 4.5-5.5 25mA/100μA 200 L(24) W(24) X(24) G(32)   -55℃-125℃
CAT28C64B 64KBits 4.5-5.5 25mA/100μA 90,120,150 L(28) W(28) X(28) G(32) H13(28) -55℃-125℃
CAT28C65B 64KBits 4.5-5.5 25mA/100μA 90,120,150 L(28) W(28) X(28) G(32) H13(28) -55℃-125℃
CAT28C256 256KBits 4.5-5.5 25mA/150μA 120,150 L(28)     G(32) H13(28) -55℃-125℃
CAT28C257 256KBits 4.5-5.5 25mA/150μA 120,150 L(28)     G(32) H13(28) -55℃-125℃
CAT28C512 512KBits 4.5-5.5 50mA/200μA 120,150 L(28)     G(32) H14(32) -55℃-125℃
CAT28C513 512KBits 4.5-5.5 50mA/200μA 120,150       G(32)   -55℃-125℃

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