专题简介

存储器(Memory)是电子系统中的存储设备,用来存放程序和数据。电子系统中的全部信息,包括原始数据、程序代码、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。存储器分两类:RAM和ROM。RAM的存取速度非常快,但是掉电后数据不能保存,常用来保存一些中间运行结果;ROM在掉电情况下能保证数据不丢失,但是速度稍慢,常用来保存程序代码和原始配置信息;而最新的MRAM技术将RAM和ROM的优点结合起来,既能实现高速的数据存储,又能实现掉电后数据不丢失。

常用的存储器有串行EEPROM并行EEPROMDRAMSRAM串行NOR Flash并行NOR Flash并行MRAM串行MRAM等。

    安森美公司的存储器

安森美是应用于高性能绿色电子产品、高能效硅方案的供应商。公司的产品包括电源、信号管理、逻辑、存储器器件,存储器器件有串行EEPROM和并行EEPROM,安森美公司的EEPROM具有体积小,接口简单,数据保存可靠,功耗低等特点。

    Everspin公司的存储器

Everspin是全球开发非挥发性随机存取存储器(MRAM)的领导者,Everspin是世界上第一个量产MRAM的供应商,并继续发展技术,扩大MRAM产品的投资。Everspin提供市场上可靠性最好、性能最高、成本最低的非挥发性随机存取存储器,为客户提供独特、极具竞争力的产品。

    ISSI公司的存储器

ISSI是一家国际性的高科技公司,专门从事设计、开发、制造和销售高性能集成电路存储器,是北美最大的SRAM制造商之一。ISSI的核心产品包括高速、低功耗的SRAM,中、低容量的DRAM,EEPROM及其他集成电路存储器。这些产品满足了半导体器件市场和客户多元化的要求。 ISSI的产品结合了集成电路设计的尖端技术及先进的制造工艺。

    旺宏电子的存储器

旺宏电子,创新型非易失半导体存储器解决方案的领导者,是世界上ROM和串行NOR Flash产品的最大供应商。旺宏电子是世界上少数几个能完全自主设计,以自己的品牌来生产和销售的公司之一。旺宏电子不断致力于开发一流的本土技术、提高生产制造能力,为客户提供高品质的产品和服务!

    应用文档
    选型指南


    EEPROM

    EEPROM是可在线电擦除和电写入的存储器,具有体积小、接口简单、数据保存可靠、可在线改写、功耗低等特点,低电压写入的特点使其在单片机系统应用中十分普遍。安森美公司的EEPROM有串行EEPROM和并行EEPROM两种。

    并行EEPROM采用3.3V和5V供电,满足电池操作应用的要求,安森美公司的CAT28C256是一个快速的、低功耗的、仅5V电压供电的CMOS并行EEPROM,它组织成32K×8bit。另外,CAT28C256具有硬件写保护的特性。编程/擦除周期为100,000次,数据保持时间为10年。该器件提供JEDEC认可的28脚DIP和SOIC封装或者32脚的PLCC封装。

       串行EEPROM兼容工业上最受欢迎的三种总线:I2C总线、Microwire总线及SPI总线。CAT24C08一个8Kb的串行CMOS EEPROM,在内部分成64页,每页16字节,即总共为1024个字节(一个字节8位)。CAT24C08的主要特性是含有一个16字节的页写入缓冲器,并且支持标准(100kHz)和快速(400kHz)的I2C协议。通过拉高WP管脚,可以禁止对存储器写入,从而保护了整个存储器。

      MRAM

      MRAM是一种非挥发性随机存取存储器,它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。MRAM有并行MRAM和串行MRAM两种。

      并行MRAM具有快速、非易失性的SRAM读写周期,一般是35ns,数据保存超过20年,有兼容SRAM的TSOPII封装和兼容SRAM的BGA封装。8位MRAM系列容量为256Kb到16Mb,16位MRAM系列容量为1Mb到16Mb,提供符合RoHS规范的TSOP和BGA两种封装。与所有Everspin非易失性RAM一样,所有器件可无限次读写。

         串行MRAM以40MHz的时钟速度高速运行,没有写延迟。和传统的EEPROM技术不同,MRAM允许无限次擦除。容量为256Kb到1Mb,数据保存时间长达20年以上。低电压保护电路可在掉电时自动保护数据,防止在规定电压范围以外时写入数据。对于必须永久保存、快速恢复重要数据和程序的应用,SPI串行总线接口的MARM存储器是理想的存储器方案。

      NOR Flash

      NOR Flash可用来存放数据或者代码,存放的数据和代码可以实现掉电保存,NOR Flash分串行NOR Flash和并行NOR Flash两种。

      并行NOR Flash是一种非易失性的存储器,具有存储容量大,数据保存时间长的特点,应用程序可以直接在NOR Flash内运行,用户不必把代码再读到RAM中运行。NOR Flash的传输效率很高,具有很高的成本效益。

         串行NOR Flash是一种非易失性的存储器,具有存储容量大、数据保存时间长的特点,其擦写次数多达10万次,数据保存时间长达20年,数据更新速度比EEPROM要快很多,在断电的情况下也能保存数据,常用来保存一些重要的配置信息。NOR Flash的传输效率很高,操作频率高达104MHz,具有很高的成本效益。
       

      ROM  作为掩膜ROM行业的领导者,旺宏继续为客户提供最先进的掩模ROM产品。在过去8年,旺宏是掩模ROM行业最大的供应商,并将继续为用户提供高品质的产品。并行ROM可以选择8位或16位数据传输,支持页模式访问,每页可访问8个双字。供电电压有3V、5V。旺宏电子提供16M、32M、64M和128M的串行ROM。SOP-16的引脚封装不仅简化了系统的硬件布局也增加了系统的可靠性。串行ROM方便用户寻找更小的封装和更简单的接口。

       

      安全Flash  用户常将敏感的数据存储在其系统中,为了保护这些数据不被恶意读取,旺宏提供了安全Flash产品。这些产品有从32Mb到256Mb的并行NOR Flash,也有16Mb到128Mb的串行NOR Flash。这些产品通常应用于机顶盒、数字电视以及其它要求代码安全的系统。

      SRAM  SRAM的特点是工作速度快,只要电源不撤除,写入SRAM的信息就不会消失,不需要刷新电路,同时在读出时不破坏原来存放的信息,一经写入可多次读出,但集成度较低,功耗较大。IS61LV25616AL由ISSI的高性能CMOS技术制造而成,数据访问时间10ns,采用3.3V电源供电,功耗很低。

       

      DRAM  DRAM是动态随机存储器(Dynamic Random Access Memory),它是利用场效应管的栅极对其衬底间的分布电容来保存信息,以存储电荷的多少,即电容端电压的高低来表示“1”和“0”。DRAM每个存储单元所需的场效应管较少,常见的有4管,3管和单管型DRAM。因此它的集成度较高,所以功耗也较低,但缺点是保存在DRAM中的信息随着电容器的漏电而会逐渐消失,一般信息保存时间为2ms左右。为了保存DRAM中的信息,必须每隔1~2ms对其刷新一次。


  • 销售电话:020-38732585
  • 技术支持电话:020-22644358
  • 技术支持论坛:http://bbs.zlgmcu.com
  • 销售邮箱:huangzhi@zlgmcu.com
  • 技术支持邮箱:FAQ@zlgmcu.com
X