| Part Number | Description | Status | MPS Inventory | 最小输入电压（V） | 最大输入电压（V） | 最大自举电压（V） | 峰值上拉电流（A） | 峰值下拉电流（A） | 上升时间（ns） | 下降时间（ns） | 启动延时（ns） | 关机延时（ns） | 封装 | 等级 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MPQ1918-AEC1 | 100V、高频、半桥 GaN/MOSFET 驱动器，符合 AEC-Q100 认证 | 正在供货 | Y | 3.6 | 5.5 | 100 | 1.6 | 5 | 5 | 3 | 20 | 20 | FCQFN-14 (3x3) | 车规级 |
MPS GaN/MOSFET高频半桥驱动产品同时集成了上管和下管驱动器通道，可实现高效率设计和低开关损耗，并提高系统在恶劣环境中的耐受力。其产品组合中包含丰富的产品，这些产品经过精心设计，可驱动 Si MOSFET 或 GaN FET，同时优化成本、效率和解决方案尺寸。
产品型号
MPQ1918
- 特性概述： MPQ1918-AEC1 专为驱动半桥或同步应用中的增强型氮化镓 (GaN) FET 和低栅极阈值电压 N 沟道 MOSFET而设计。MPQ1918-AEC1 采用独立的上管 (HS) 和下管 (LS) 脉宽调制 (PWM) 输入。它采用自举技术提供 HS 驱动电压自举，并可以在高达 100V 的电压下工作。其新型充电技术可防止 HS 驱动电压超过 VCC 电压 (VCC)，从而防止栅极电压超过 GaN FET 的最大栅源电压额定值。MPQ1918-AEC1 提供两个独立的栅极输出，可通过增加栅极环路阻抗来独立调节导通与关断能力。MPQ1918-AEC1 的工作频率可达数兆赫兹。MPQ1918-AEC1 采用侧面镀锡的 FCQFN-14 (3mmx3mm) 封装。
选型表下载
数据手册
