| Type number | Package version | Package name | Product status | VCEO [max] (V) | IC [max] (A) | hFE [min] | hFE [max] | RCEsat [typ] (mΩ) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PBSM5240PF | SOT1118 | DFN2020-6 | Production | -40 | -1.8 | 300 | 800 | 240 |
| PBSM5240PFH | SOT1118 | DFN2020-6 | Production | -40 | -1.8 | 100 | 240 |
您的设计能否受益于MOSFET双极性晶体管组合？这些器件将PNP突破性小信号(BISS)晶体管与N沟道MOSFET相结合，提供大量性能和设计优势，包括效率高、元件数少以及节省成本和电路板空间。
- 效率高
- 元件数少
- 节省成本和电路板空间
典型应用
- 负荷开关
- 电池驱动装置
- 电源管理
- 充电电路
- 电源开关（如电机、风扇）
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