| Part No | Package version | Package name | Product status | Nr of transistors | VDS [max] (V) | RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ) | Tj [max](°C) | ID [max](A) | QGD [typ](nC) | Ptot [max](W) | VGSth [typ](V) | Automotive qualified | Ciss [typ](pF) | Coss [typ](pF) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GANB1R2-040QBA | SOT8092-1 | VQFN16 | Production | 1 | 40 | 125 | 32 | 105 | N | 3500 | ||||
| GANB8R0-040CBA | WLCSP16_SOT8087 | WLCSP16 | Production | 1 | 40 | 8 | 125 | 14 | 5.5 | 15 | 1.35 | 566 | 243 | |
| GANB4R8-040CBA | WLCSP22_SOT8086 | WLCSP22 | Production | 1 | 40 | 4.8 | 125 | 20 | 8.6 | 13 | 1.35 | 887 | 381 | |
| GANB012-040CBA | WLCSP12_SOT8088 | WLCSP12 | Production | 1 | 40 | 12 | 125 | 10 | 3.9 | 11 | 1.35 | 405 | 174 |
安世半导体双向氮化镓场效应管（GaN FET）是功率应用的理想选择，尤其适用于需要电压阻断和电流传导的关键场景。例如在电池管理系统（BMS）中替代传统背靠背硅MOSFET时，该器件不仅能确保低导通损耗和超高速开关性能，还能显著节省空间（最小封装尺寸）。当应用于过压保护（OVP）、多电源切换电路以及双向变换器的高边负载开关时，同样能发挥这些优势。
GANB4R8-040CBA
- 40V耐压、4.8mΩ超低导通电阻（25°C时典型值）、双向氮化镓（GaN）HEMT，采用2.1mm×2.1mm晶圆级芯片封装（WLCSP），增强型常关设计；
- 超高开关速度，支持20A连续电流（5V栅压）及100A脉冲电流（300μs）；
- 宽工作温度范围（-40°C至125°C），总功耗13W（25°C）；
- 低栅极电荷（15.8nC典型值），输入/输出电容分别为887pF/381pF（20V条件）；
- 符合RoHS、无铅及REACH标准，适合高功率密度设计；
- 热性能：结到环境热阻59.3K/W（单层2oz铜FR4板），支持260°C峰值焊接温度；
- 对称设计：D1/D2引脚可互换作为源极或漏极，简化双向电路布局；
- 应用场景：高端负载开关、智能手机USB端口过压保护（OVP）、待机电源系统等。
GANB8R0-040CBA
- 40V耐压、8.0mΩ导通电阻（25°C时典型值）、双向氮化镓（GaN）HEMT，采用1.7mm×1.7mm晶圆级芯片封装（WLCSP），增强型常关设计；
- 超高开关速度，支持14A连续电流（5V栅压）及70A脉冲电流（300μs），总功耗15W（25°C）；
- 低栅极电荷（10.1nC典型值），输入/输出电容分别为566pF/243pF（20V条件）；
- 宽工作温度范围（-40°C至125°C），符合RoHS、无铅及REACH标准；
- 结到环境热阻65.12K/W（单层2oz铜FR4板），支持260°C峰值焊接温度；
- 对称设计：D1/D2引脚可互换作为源极或漏极，简化双向电路布局；
- 反向传输电容145pF（20V条件），优化高频开关效率；
- 应用场景：高端负载开关、智能手机USB端口过压保护（OVP）、DC-DC转换器及待机电源系统。
GANB012-040CBA
- 40V双向增强型氮化镓（GaN）功率开关器件，8.0mΩ超低导通电阻（25°C时典型值6.1mΩ，125°C升至11mΩ），采用1.7mm×1.7mm晶圆级芯片封装（WLCSP16）；
- 支持14A连续电流和70A脉冲电流（300μs），总栅极电荷10.1nC，输入/输出电容分别为566pF和243pF；
- -40℃至125℃工作温度范围，结到环境热阻65.12K/W；
- 器件采用对称设计，D1/D2漏极可互换，支持双向导通；
- 5V栅极驱动电压阈值（1.35V典型值）、40V漏源击穿电压和15W最大功耗。符合RoHS标准，通过WLCSP封装实现紧凑布局；
- 适用于高边开关、USB端口保护、DC-DC转换等高密度电源系统，特别适合智能手机、备用电源等对空间和效率要求严苛的应用场景。
GANB1R2-040QBA
- 40V双向增强型氮化镓（GaN）HEMT器件，1.2mΩ超低导通电阻（25℃时0.9-1.2mΩ，125℃升至1.6mΩ），采用超薄4.0×6.0mm VQFN封装，厚度仅0.85mm；
- 支持100A连续电流和500A脉冲电流（300μs），总功耗105W（25℃）；
- 动态性能突出，总栅极电荷60nC，输入/输出电容分别为3500pF/1600pF；
- 电压规格包含40V漏-漏耐压和6V栅-漏耐压；
- 工作温度范围-40℃至125℃；
- 采用对称设计，D1/D2可互换作为源/漏极，适应双向电流控制；
- 结-环境热阻52.12K/W，需注意散热设计；
- 具有RoHS环保认证。封装标记代码1R2AQBA，支持260℃回流焊工艺；
- 应用场景：高边负载开关、USB端口OVP保护、高密度电源系统，适用于智能手机、待机电源等高效能场景。
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