| Part number | Product status | VCE [max] (V) | IC [typ] (A) | Configuration | tsc [max] (µs) | Tj [min] (°C) | Tj [max] (°C) | Package version | Package name |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NGW75T65H3DFP | Production | 650 | 75 | HS | -40 | 175 | SOT429-2 | TO-247-3L | |
| NGW40T65H3DFP | Production | 650 | 40 | HS | -40 | 175 | SOT429-2 | TO-247-3L | |
| NGW75T65M3DFP | Production | 650 | 75 | MS | 5 | -40 | 175 | SOT429-2 | TO-247-3L |
| NGW50T65M3DFP | Production | 650 | 50 | MS | 5 | -40 | 175 | SOT429-2 | TO-247-3L |
| NGW40T65H3DHP | Production | 650 | 40 | HS-DH | -40 | 175 | SOT429-2 | TO-247-3L | |
| NGW60T65M3DFP | Production | 650 | 60 | MS | 5 | -40 | 175 | SOT429-2 | TO-247-3L |
| NGW30T65M3DFP | Production | 650 | 30 | MS | 5 | -40 | 175 | SOT429-2 | TO-247-3L |
| NGW50T65H3DFP | Production | 650 | 50 | HS | -40 | 175 | SOT429-2 | TO-247-3L | |
| NGW40T65M3DFP | Production | 650 | 40 | MS | 5 | -40 | 175 | SOT429-2 | TO-247-3L |
| NGW75T65H3DF | Production | 650 | 75 | HS | -40 | 175 | SOT429-2 | TO-247-3L |
离散型IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是中高压应用场景中的核心组件。随着各行业对高可靠性、高效率、低成本电源解决方案的需求持续增长，Nexperia的载流子存储型沟槽栅极先进场截止（FS）IGBT产品系列正好满足这一行业诉求。
NGW40T65M3DFP
- 高电压大电流能力：该芯片额定集电极-发射极电压为650V，集电极电流为40A，适用于高压、高频工业电力逆变器及伺服电机驱动等应用。
- 低功耗与高效能：结合了载流子存储沟槽栅和场阻（FS）结构，具有低导通和开关损耗，优化了IGBT关断损耗，有助于提高系统效率。
- 高温稳定性：最大结温高达175°C，短路承受时间为5μs，适用于高功率密度设计。
- 易于并联操作：提供稳定且紧密的参数，便于多器件并联使用，提高系统可靠性和功率输出。
- 全面保护特性：内置全额定快速软恢复二极管，提供反向恢复保护，减少开关过程中的能量损耗。
- 多样化封装：提供TO-247-3L和SOT429-2两种封装选项，便于系统集成和散热设计。
- 适用于工业及消费类电器的电机驱动、5-20kW的伺服电机（高达20kHz）、不间断电源（UPS）逆变器、电动汽车（EV）充电转换器、感应加热及焊接等领域。
NGW50T65H3DFP
- 高功率处理能力：该芯片额定集电极-发射极电压为650V，集电极电流高达50A，专为高压、高频工业电力逆变器设计，满足高功率应用需求。
- 低损耗与高效能：通过优化IGBT的关断损耗，结合低导通和开关损耗特性，提升了整体系统效率。适用于需要高效能转换的应用场景。
- 高温稳定性：最大结温可达175°C，短路承受时间为5μs，表现出色的高温稳定性和可靠性，适合高功率密度和恶劣工作环境。
- 稳定并联特性：提供稳定且紧密的参数，使得多个器件可以方便地进行并联操作，增强了系统的灵活性和扩展性。
- 快速软恢复二极管：内置全额定快速软恢复二极管，减少了反向恢复过程中的能量损耗，提高了系统的整体效率和可靠性。
- 多样化封装选项：提供TO-247-3L和SOT429-2两种封装形式，便于系统集成和散热设计，满足不同应用需求。
- 适用于不间断电源（UPS）逆变器、电动汽车（EV）充电转换器、功率因数校正（PFC）、感应加热及焊接等多种工业电力电子应用。
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