| Type number | Product status | Qualification | Drain-source breakdown voltage (V) | Drain-source on-state resistance at 15 V (mΩ) | Drain-source on-state resistance at 18 V (mΩ) | ID [max] (A) | Rth(j-c) [typ] (K/W) | Package version | Package name | QG(tot) [typ] (nC) | Size (mm) | Tj [max] (°C) | Datasheet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NSF030120D7A0 | Production | Industrial | 1200 | 40 | 30 | 67 | 0.4 | SOT8070-1 | TO-263-7 | 113 | 9.3 x 9.88 x 4.5 | 175 | NSF030120D7A0 |
| NSF030120L3A0 | Production | Industrial | 1200 | 40 | 30 | 67 | 0.4 | SOT429-2 | TO-247-3L | 113 | 20.95 x 15.94 x 5.02 | 175 | NSF030120L3A0 |
| NSF030120L4A0 | Production | Industrial | 1200 | 40 | 30 | 67 | 0.41 | SOT8071-1 | TO-247-4 | 113 | 23.45 x 15.94 x 5.02 | 175 | NSF030120L4A0 |
| NSF030120T2A0 | Production | Industrial | 1200 | 40 | 30 | 68 | 0.39 | SOT8107-2 | X.PAK | 113 | 14 x 11.8 x 3.5 | 175 | NSF030120T2A0 |
| NSF040120D7A0 | Production | Industrial | 1200 | 40 | 31 | 65 | 0.4 | SOT8070-1 | TO-263-7 | 95 | 9.3 x 9.88 x 4.5 | 175 | NSF040120D7A0 |
| NSF040120L3A0 | Production | Industrial | 1200 | 40 | 31 | 65 | 0.4 | SOT429-2 | TO-247-3L | 95 | 20.95 x 15.94 x 5.02 | 175 | NSF040120L3A0 |
| NSF040120L4A0 | Production | Industrial | 1200 | 40 | 31 | 65 | 0.41 | SOT8071-1 | TO-247-4 | 95 | 23.45 x 15.94 x 5.02 | 175 | NNSF040120L4A0 |
| NSF040120L4A1 | Production | Industrial | 1200 | 53 | 40 | 53 | 0.53 | SOT8071-1 | TO-247-4 | 81 | 23.45 x 15.94 x 5.02 | 175 | NSF040120L4A1 |
| NSF040120T2A1 | Production | Industrial | 1200 | 53 | 40 | 55 | 0.45 | SOT8107-2 | X.PAK | 81 | 14 x 11.8 x 3.5 | 175 | NSF040120T2A1 |
| NSF060120D7A0 | Production | Industrial | 1200 | 80 | 60 | 38 | 0.68 | SOT8070-1 | TO-263-7 | 57 | 9.3 x 9.88 x 4.5 | 175 | NSF060120D7A0 |
| NSF060120L3A0 | Production | Industrial | 1200 | 80 | 60 | 37 | 0.68 | SOT429-2 | TO-247-3L | 57 | 20.95 x 15.94 x 5.02 | 175 | NSF060120L3A0 |
| NSF060120L4A0 | Production | Industrial | 1200 | 80 | 60 | 37 | 0.68 | SOT8071-1 | TO-247-4 | 57 | 23.45 x 15.94 x 5.02 | 175 | NSF060120L4A0 |
| NSF060120T2A0 | Production | Industrial | 1200 | 80 | 60 | 36 | 0.7 | SOT8107-2 | X.PAK | 57 | 14 x 11.8 x 3.5 | 175 | NSF060120T2A0 |
| NSF080120D7A0 | Production | Industrial | 1200 | 80 | 64 | 33 | 0.68 | SOT8070-1 | TO-263-7 | 52 | 9.3 x 9.88 x 4.5 | 175 | NSF080120D7A0 |
| NSF080120L3A0 | Production | Industrial | 1200 | 80 | 64 | 35 | 0.68 | SOT429-2 | TO-247-3L | 52 | 20.95 x 15.94 x 5.02 | 175 | NSF080120L3A0 |
| NSF080120L4A0 | Production | Industrial | 1200 | 80 | 64 | 35 | 0.68 | SOT8071-1 | TO-247-4 | 113 | 23.45 x 15.94 x 5.02 | 175 | NSF080120L4A0 |
控制逻辑解决方案是数字电路的基本构建模块。可以在多种创新封装中实施PCB微型化并简化路由。Nexperia器件品种齐全，包括过压容许输入和开漏输出的选择，可帮助在不同的电压节点之间建立连接。
产品型号74AUP1G157-Q100 Low-power 2-input multiplexer
- 通过 AEC-Q100（1 级）标准进行汽车产品认证
规定的工作温度范围为：--40 °C ~ +85 °C 和-40 °C ~ +125 °C - 宽电源电压范围，从 0.8 伏到 3.6 伏
- 互补金属氧化物半导体（CMOS）低功耗
- 高抗噪性
- 可耐受高达 3.6 伏的过压输入
- 低噪声过冲和下冲幅度小于电源电压（VCC）的 10%
- 关断电流（IOFF）电路可实现部分掉电模式操作
- 低静态功耗，电源电流 ICC = 0.9 µA (maximum)
- 闩锁效应性能按照 JESD 78 二级标准超过 100 mA
- 符合以下 JEDEC 标准：
JESD8-12（0.8 伏至 1.3 伏）
JESD8-11（0.9 伏至 1.65 伏）
JESD8-7（1.65 伏至 1.95 伏）
JESD8-5（2.3 伏至 2.7 伏）
JESD8C（2.7 伏至 3.6 伏） - 静电放电（ESD）保护：
人体模型（HBM）：ANSI/ESDA/JEDEC 的JS-001 3A 等级，且超过 5000 V
充电器件模型（CDM）：ANSI/ESDA/JEDEC 的JS-002C3 等级，且超过 1000 V
产品型号74CB3Q3257-Q100 4-bit 1-of-2 FET multiplexer/demultiplexer with charge pump
- 符合 AEC-Q100（3 级）标准进行汽车产品认证
- 宽电源电压范围，从 2.3 V到 3.6 V
- 开关端口的过压切换：
当电源电压（VCC）为 2.5 V时，可进行 0 V到 5 V的切换
当电源电压（VCC）为 3.3 V时，可进行 0 V到 5 V的切换 - 导通电阻典型值为 4 欧姆
- 关断状态电容典型值为 3.5 pF
- 最高带宽为 0.5 GHz
- 低输入 / 输出电容可最大程度减小负载及信号失真
- 最大快速切换频率为 20 MHz
- 低功耗，电源电流（ICC）典型值为 0.4 mA
- 控制输入可由晶体管 - 晶体管逻辑（TTL）或 5 V / 3.3 V互补金属氧化物半导体（CMOS）输出驱动
- 关断电流（IOFF）支持部分掉电模式操作
- 按照 JESD 78E 二级 A 级标准，闩锁效应性能超过 100 mA
- 静电放电（ESD）保护：
人体模型（HBM）：ANSI/ESDA/JEDEC 的JS-001 标准 2 级，且超过 2000 V
充电器件模型（CDM）：ANSI/ESDA/JEDEC 的JS-002 标准 C3 级，且超过 1000 V
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