| Part No. | Package version | Package name | Product status | Configuration | Channel type | Nr of transistors | VDS [max] | Tj [max] | ID [max] | QGD [typ](nC) | Ptot [max](W) | VGSth [typ] | Automotive | Ciss [typ] | Coss [typ](pF) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GANE240-700BBA | SOT428-2 | TO252 | Production | e-mode | 1 | 700 | 150 | 10 | 0.7 | 74 | 1.7 | 79 | 25 | ||
| GANE350-650FBA | SOT8075-1 | DFN5060-5 | Production | e-mode | 1 | 650 | 150 | 6 | 0.5 | 65 | 1.7 | 50 | 15 | ||
| GANE350-700BBA | SOT428-2 | TO252 | Production | e-mode | 1 | 700 | 150 | 6 | 0.5 | 47 | 1.7 | 50 | 15 | ||
| GANE140-700BBA | SOT428-2 | TO252 | Production | e-mode | 1 | 700 | 150 | 17 | 1.2 | 110 | 1.7 | 125 | 41 | ||
| GANE190-700BBA | SOT428-2 | TO252 | Production | e-mode | N | 1 | 700 | 150 | 11.5 | 1.1 | 84 | 1.7 | N | 96 | 30 |
| GAN080-650EBE | SOT8074-1 | DFN8080-8 | Production | e-mode | N | 1 | 650 | 150 | 29 | 2.2 | 240 | 1.7 | N | 225 | 70 |
| GAN190-650EBE | SOT8074-1 | DFN8080-8 | Production | e-mode | N | 1 | 650 | 150 | 11.5 | 1.1 | 125 | 1.7 | N | 96 | 30 |
| GAN190-650FBE | SOT8075-1 | DFN5060-5 | Production | e-mode | N | 1 | 650 | 150 | 11.5 | 1.1 | 125 | 1.7 | N | 96 | 30 |
| GAN140-650FBE | SOT8075-1 | DFN5060-5 | Production | e-mode | N | 1 | 650 | 150 | 17 | 1.2 | 113 | 1.7 | N | 125 | 41 |
| GAN140-650EBE | SOT8074-1 | DFN8080-8 | Production | e-mode | N | 1 | 650 | 150 | 17 | 1.2 | 113 | 1.7 | N | 125 | 41 |
Nexperia增强型氮化镓（e-mode GaN）场效应晶体管为电源系统提供了最优化的灵活性，尤其适用于650V低压应用场景。凭借其极低的栅极电荷（QC）和输出电容电荷（QOSS）参数，该器件实现了卓越的开关性能，可显著提升650V交流-直流（AC/DC）和直流-交流（DC/AC）电源转换效率。同时，在无刷直流电机（BLDC）、微型伺服电机驱动及LED驱动等应用中，还能显著节省空间并降低物料清单（BOM）成本。
GAN080-650EBE
- 650V耐压、80mΩ导通电阻的增强型氮化镓（GaN）FET，采用DFN 8mm×8mm表贴封装，常关型设计。
- 超高频开关能力，无体二极管，低栅极电荷（QG(tot)典型值6.2nC）和输出电荷（Qoss典型值60nC）。
- 低封装电感/电阻，支持高功率密度和高效率（典型RDS(on) 60mΩ@25°C）。
- 符合RoHS、无铅及REACH标准，集成ESD保护。
- 最大瞬态耐压800V，连续漏极电流29A（@25°C），峰值电流58A（脉冲）。
- 快速开关（开启/关断延迟3ns/5ns，上升/下降时间4ns）。
- 应用领域：高效电源转换（AC/DC、DC/DC）、图腾柱PFC、快充设备（手机/笔记本/USB-C）、 数据中心/通信电源、电机驱动、太阳能逆变器、D类音频放大器及LED驱动。
GAN190-650EBE
- 650V耐压、190mΩ导通电阻的增强型氮化镓（GaN）FET，采用DFN 8mm×8mm表贴封装，常关型设计。
- 超高频开关能力，无体二极管，低栅极电荷（QG(tot)典型值2.8nC）和输出电荷（Qoss典型值24.5nC）。
- 封装电感/电阻，支持高功率密度（典型RDS(on) 138mΩ@25°C，150°C时升至300mΩ）。
- 符合RoHS、无铅及REACH标准，集成ESD保护。
- 最大瞬态耐压800V，连续漏极电流11.5A（@25°C），峰值电流20.5A（脉冲）。
- 极快开关速度（开启/关断延迟1.4ns/1.7ns，上升/下降时间4ns）。
- 应用领域：高效电源转换（AC/DC、DC/DC）、图腾柱PFC、快充设备（手机/笔记本/USB-C）；数据中心/通信电源、电机驱动、太阳能逆变器及D类音频放大器。
GAN190-650FBE
- 650V耐压、190mΩ导通电阻的增强型氮化镓（GaN）FET，采用更紧凑的DFN 5mm×6mm表贴封装，常关型设计。
- 超高频开关能力，无体二极管，低栅极电荷（QG(tot)典型值2.8nC）和输出电荷（Qoss典型值24.5nC）。
- 低封装电感/电阻，高功率密度（典型RDS(on) 138mΩ@25°C，150°C时升至300mΩ）。
- 符合RoHS、无铅及REACH标准，集成ESD保护。
- 最大瞬态耐压800V，连续漏极电流11.5A（@25°C），峰值电流20.5A（脉冲）。
- 超快开关速度（开启/关断延迟1.4ns/1.7ns，上升/下降时间4ns）。
- 与GAN190-650EBE（8mm×8mm封装）相比，本型号封装尺寸更小（5mm×6mm），适合高密度布局，电气参数基本一致。
- 应用领域：高效电源转换（AC/DC、DC/DC）、图腾柱PFC、快充设备（手机/笔记本/USB-C）、数据中心/通信电源、电机驱动及太阳能逆变器，适用于空间受限的高功率设计。
GANE350-650FBA
- 650V耐压、350mΩ导通电阻的增强型氮化镓（GaN）FET，采用紧凑型DFN 5mm×6mm表贴封装，常关设计。
- 超高频开关能力，无体二极管，极低栅极电荷（QG(tot)典型值1.5nC）和输出电荷（Qoss典型值13nC）。
- 高功率密度设计（典型RDS(on) 270mΩ@25°C，150°C时升至580mΩ），符合RoHS、无铅及REACH标准。
- 最大瞬态耐压800V，连续漏极电流6A（@25°C），峰值电流10A（脉冲）。
- 超快开关速度（开启/关断延迟0.9ns/1.2ns，上升/下降时间3.5ns/6.1ns）。
- 与同系列190mΩ型号相比，导通电阻更高但静态功耗更低（65W），适合中功率场景，封装尺寸相同（5mm×6mm）。
- 应用领域：高效电源转换（AC/DC、DC/DC）、图腾柱PFC、快充设备（手机/笔记本/USB-C）、数据中心/通信电源、电机驱动及太阳能逆变器，适合空间受限的高密度设计。
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