| Type number | Package version | Package name | Product status | Configuration | Channel type | Nr of transistors | VDS [max] (V) | RDSon [max] @ VGS = 5 V (mΩ) | RDSon [typ] @ VGS = 5 V (mΩ) | Tj [max] (°C) | IDM [max] (A) | QGD [typ] (nC) | Ptot [max] (W) | VGSth [typ] (V) | Automotive qualified | Ciss [typ] (pF) | Coss [typ] (pF) | Rth(j-mb) [max] (K/W) | Release date | Datasheet |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GAN3R2-100CBE | WLCSP8-SOT8072 | WLCSP8 | Production | e-mode | N | 1 | 100 | 3.2 | 2.4 | 150 | 230 | 1.7 | 394 | 1.1 | N | 1000 | 460 | 1.5 | 2023-02-22 | PSC1065B1 |
| GAN7R0-150LBE | SOT8073-1 | FCLGA3 | Production | e-mode | N | 1 | 150 | 7 | 5.6 | 150 | 120 | 1.3 | 28 | 1.1 | N | 865 | 280 | 4.4 | 2023-02-22 | GAN7R0-150LBE |
| GANE1R8-100QBA | SOT8091-1 | VQFN7 | Production | 1 | 100 | 1.8 | 1.4 | 150 | 320 | 4.5 | 65 | 1.1 | 2500 | 1100 | 1.92 | 2024-09-17 | GANE1R8-100QBA | |||
| GANE2R7-100CBA | WLCSP22_SOT8089 | WLCSP22 | Production | 1 | 100 | 2.7 | 2.1 | 150 | 320 | 2.5 | 470 | 1.1 | 1400 | 650 | 1.37 | 2024-09-17 | GANE2R7-100CBA | |||
| GANE3R9-150QBA | SOT8091-1 | VQFN7 | Production | 1 | 150 | 3.9 | 3.2 | 150 | 260 | 3.5 | 65 | 1.1 | 2200 | 900 | 2024-04-22 | GANE3R9-150QBA | ||||
| GANE7R0-100CBA | WLCSP6_SOT8090 | WLCSP6 | Production | 1 | 100 | 7 | 5.5 | 150 | 125 | 0.8 | 182 | 1.1 | 485 | 220 | 1.98 | 2024-09-17 | GANE7R0-100CBA |
Nexperia的增强型氮化镓场效应晶体管(e-mode GaN FET)为电力系统提供了极致的灵活性，是<200V高功率应用的理想选择。凭借极低的栅极电荷(QC)和输出电荷(QOSS)值，该器件可实现卓越的开关性能，能为电动汽车有线/无线充电系统带来更快的充电速度，在激光雷达(LiDAR)应用中显著节省空间与物料清单(BOM)成本，同时还能降低D类音频放大器的噪声水平。
GAN3R2-100CBE
- 100V耐压、3.2mΩ超低导通电阻的增强型氮化镓（GaN）FET，采用3.5mm×2.13mm晶圆级芯片封装（WLCSP），体积小巧，适合高密度设计；
- 超高频开关能力，无体二极管，栅极电荷（QG(tot)典型值9.2nC）和输出电荷（Qoss典型值50nC）低；
- 极低导通电阻（典型RDS(on) 2.4mΩ@25°C），支持高电流（连续60A，峰值230A）；
- 符合RoHS、无铅及REACH标准，集成ESD保护；
- 最大瞬态耐压130V，总功耗394W（@25°C），热阻低至0.3K/W（结到外壳）；
- 快速开关特性，适用于高频应用（如MHz级DC-DC转换）；
- 应用领域：8V系统高频DC-DC转换、快充设备（手机/笔记本/USB-C）、数据中心/通信电源、电机驱动及LiDAR（非汽车类），尤其适合空间受限的高功率场景。
GAN7R0-150LBE
- 150V耐压，7mΩ典型导通电阻（V_GS=5V，I_D=10A），增强型（e-mode）设计，无体二极管，采用2.2mm×3.2mm×0.774mm LGA封装；
- 超高频开关能力，低栅极电荷（Q_G(tot)=7.6nC），低输出电荷（Q_oss=47nC），输入电容865pF，输出电容280pF；
- 最大漏源电压150V（瞬态170V），栅源电压范围-4V至6V，峰值漏电流120A（10μs脉冲），最大功耗28W；
- 结至环境热阻57K/W，结至基板热阻4.4K/W，工作温度-40°C至150°C；
- 环保与封装：符合RoHS、无铅标准，3引脚LGA（SOT8073-1）；
- 应用领域：高频DC-DC转换（48V系统）、AC-DC次级整流、快充设备（USB-C）、Class D音频放大器等。
GANE3R9-150QBA
- 150V耐压，3.9mΩ典型导通电阻（V_GS=5V，I_D=30A），增强型（e-mode）设计，无体二极管，采用4.0mm×6.0mm VQFN封装；
- 超高频开关能力，低栅极电荷（Q_G(tot)=20nC），低输出电荷（Q_oss=130nC），输入电容2200pF，输出电容900pF；
- 最大漏源电压150V，栅源电压范围-4V至6V，峰值漏电流260A（100μs脉冲），最大功耗65W；
- 结至环境热阻57.56K/W，结至基板热阻1.92K/W，工作温度-40°C至150°C；
- 符合RoHS、无铅标准，25引脚VQFN（SOT8091-1）；
- 应用领域：特点：高功率密度、极低导通电阻，适合高效电源转换和大电流应用；
- 高频DC-DC转换（48V系统）、AC-DC次级整流、快充设备（USB-C）、Class D音频放大器等。
GANE7R0-100CBA
- 100V耐压，7.0mΩ典型导通电阻（V_GS=5V，I_D=16A），增强型（e-mode）设计，无体二极管，采用2.5mm×1.5mm WLCSP封装；
- 超高频开关能力，低栅极电荷（Q_G(tot)=4.5nC），低输出电荷（Q_oss=25nC），输入电容485pF，输出电容220pF；
- 最大漏源电压100V，栅源电压范围-4V至6V，峰值漏电流125A（100μs脉冲），最大功耗182W；
- 结至环境热阻62.76K/W，结至基板热阻1.98K/W，工作温度-40°C至150°C；
- 符合RoHS、无铅标准，6引脚WLCSP（WLCSP6_SOT8090）；
- 应用领域：超高功率密度（182W）、超紧凑封装，适合空间受限的高效电源设计；
- 高频DC-DC转换（48V系统）、AC-DC次级整流、快充设备（USB-C）、Class D音频放大器等。
GANE1R8-100QBA
- 业界领先的超低导通电阻（1.8mΩ@25°C），支持超高电流（100A持续/320A脉冲），适合高效大功率电源设计；
- 100V耐压，1.8mΩ超低导通电阻（V_GS=5V，I_D=40A），增强型（e-mode）设计，无体二极管，采用4.0mm×6.0mm VQFN封装；
- 超高频开关能力，栅极电荷（Q_G(tot)=22nC），输出电荷（Q_oss=125nC），输入电容2500pF，输出电容1100pF；
- 最大漏源电压100V，栅源电压范围-4V至6V，峰值漏电流320A（100μs脉冲），最大功耗65W；
- 结至环境热阻57.56K/W，结至基板热阻1.92K/W，工作温度-40°C至150°C；
- 环保与封装：符合RoHS、无铅标准，25引脚VQFN（SOT8091-1）；
- 应用领域：高频DC-DC转换（48V系统）、AC-DC次级整流、快充设备（USB-C）、大电流电机驱动等。
GANE2R7-100CBA
- 100 V耐压、2.7 mΩ导通电阻（典型值），采用4.45 mm × 2.30 mm WLCSP封装，增强型（e-mode）常关型GaN FE；
- 支持超高频开关，无体二极管，低栅极电荷（总电荷13 nC）和输出电荷（77 nC），适合高功率密度和高效率应用；
- 最大漏极电流64 A（25°C），峰值电流320 A（脉冲），总功耗470 W（25°C），工作结温范围-40°C至150°C；
- 结到环境热阻52.43 K/W，结到外壳热阻0.22 K/W；
- 符合RoHS标准，栅极驱动电压范围-4 V至5.5 V，典型阈值电压1.1 V（25°C）；
- 应用领域：AC/DC转换器（次级侧）、48V系统DC-DC转换器、快充设备（手机/笔记本）、数据中心电源、电机驱动、LiDAR及Class D音频放大器。
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