| Part | Package version | Package name | Product status | Configuration | Channel type | Nr of transistors | VDS [max] | RDSon [max] @ VGS = 10 V (mΩ) | Tj [max] (°C) | ID [max] (A) | QGD [typ](nC) | QG(tot) [typ] @ VGS = 10V(nC) | Ptot [max](W) | Qr [typ](nC) | VGSth [typ](V) | Automotive qualified | Ciss [typ] (pF) | Coss [typ](pF) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| GAN111-650WSB | SOT429-3 | TO-247-3L | Production | cascode | N | 1 | 650 | 114 | 175 | 21 | 0.8 | 4.9 | 107 | 65 | 4.1 | N | 336 | 49 |
| GAN039-650NTB | SOT8005 | CCPAK1212i | Production | cascode | N | 1 | 650 | 39 | 150 | 58.5 | 5 | 26 | 250 | 187 | 3.9 | N | 1980 | 144 |
| GAN039-650NBB | SOT8000 | CCPAK1212 | Production | cascode | N | 1 | 650 | 39 | 150 | 58.5 | 5 | 26 | 250 | 187 | 3.9 | N | 1980 | 144 |
| GAN041-650WSB | SOT429-3 | TO-247-3L | Production | cascode | N | 1 | 650 | 41 | 175 | 47.2 | 6.6 | 22 | 187 | 150 | 3.9 | N | 1500 | 147 |
氮化镓(GaN)极高的电子迁移率使其能够制造出具有低导通电阻和超高开关频率特性的器件。这些优势在工业4.0和可再生能源等下一代电力系统中至关重要。安世半导体(Nexperia)的共源共栅结构氮化镓场效应晶体管，正是实现高功率密度、高性能和高开关频率的关键解决方案。该独特方案能轻松兼容业界成熟的硅基MOSFET栅极驱动器，同时还具备无与伦比的高结温工作能力(最高结温Tj达175℃)、设计灵活简便等优势，可显著提升电力系统的可靠性。
GAN039-650NBB
- 650V、33mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管，采用CCPAK1212封装，结合了安世半导体高压GaN HEMT H2技术与低压硅MOSFET技术，具备常关特性；
- 兼容标准MOSFET栅极驱动器（0-12V驱动电压，阈值电压4V），栅极耐压±20V；
- 低导通电阻（25℃时典型值33mΩ，150℃时73mΩ），总栅电荷26nC，开关延迟时间低至17ns（开启）/28ns（关断）；
- CCPAK技术降低电感与EMI，支持150℃最高结温，焊点可视觉检测（无需X光设备）；
- 瞬态过压能力、机械应力吸收设计；
- 峰值漏极电流234A（脉冲），总功耗250W，典型体二极管正向压降1.6V（32A时）；
- 适用于硬/软开关转换器、图腾柱PFC、光伏逆变器及伺服驱动等工业与数据中心场景。
GAN039-650NTB
- 650V、33mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管，采用倒装型CCPAK1212i封装，结合安世半导体高压GaN HEMT H2与低压硅MOSFET技术，具备常关特性；
- 支持标准MOSFET栅极驱动（0-12V，阈值电压4V），栅极耐压±20V，抗栅极弹跳；
- 低导通电阻（25℃时33mΩ，150℃时73mΩ），总栅电荷26nC，开关延迟时间17ns（开启）/28ns（关断）；
- 倒装设计优化散热与机械应力吸收，支持150℃最高结温，焊点可视觉检测（无需X光）；
- 峰值漏极电流234A（脉冲），体二极管正向压降1.6V（32A时），瞬态耐压725V；
- 适用于硬/软开关转换器、无桥图腾柱PFC、光伏逆变器及伺服驱动，推荐栅极串联铁氧体磁珠（30Ω@100MHz）以提升开关稳定性。
GAN041-650WSB
- 650V、35mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管，采用TO-247封装，结合安世半导体高压GaN HEMT H2与低压硅MOSFET技术，具备常关特性；
- 支持0-12V标准MOSFET栅极驱动，阈值电压3.9V（典型值），栅极耐压±20V；
- 低导通电阻（25℃时35mΩ，175℃时84mΩ），总栅电荷22nC，开关延迟时间14ns（开启）/36ns（关断）；
- 恢复电荷仅150nC，显著降低开关损耗；
- 支持175℃最高结温，瞬态耐压725V，适用于高功率场景；
- 峰值漏极电流240A（脉冲），体二极管正向压降1.8V（32A时），总功耗187W。
- 应用于工业电源转换器、无桥图腾柱PFC、光伏逆变器及伺服驱动，推荐栅极串联铁氧体磁珠（200-270Ω@100MHz）以优化开关稳定性。
GAN111-650WSB
- 650V、97mΩ氮化镓（GaN）场效应晶体管，采用TO-247封装，结合安世半导体高压GaN HEMT H2与低压硅MOSFET技术，具备常关特性；
- 兼容0-12V标准栅极驱动，阈值电压4.1V（典型值），栅极耐压±20V；
- 导通电阻97mΩ（25℃时），总栅电荷仅4.9nC，开关延迟时间13ns（开启）/20ns（关断）；
- 反向恢复电荷65nC，恢复时间18ns，显著降低开关损耗；
- 支持175℃最高结温，瞬态耐压725V，适用于高频应用；
- 峰值漏极电流84A（脉冲），体二极管正向压降1.8V（14A时），总功耗107W；
- 应用于工业电源转换器、无桥图腾柱PFC、光伏逆变器及伺服驱动，推荐栅极串联30Ω铁氧体磁珠（BLM18PG300SN1D）以优化开关稳定性。
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